JFETs - onsemi - Дистрибьютор электронных компонентов - Страницы 4

Производитель

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

продукты

4 / 41 Страницы，Всего 484 Данные Предыдущая страница | Следующая страница

Номер запчасти	Производитель	Описание	Запасы	Количество	Упаковка	Статус	Подробности
J112-D27Z	onsemi	JFET N-CH 35V TO92-3	4000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
J111RLRA	onsemi	SMALL SIGNAL N-CHANNEL J-FET	64000	RFQ	Bulk	Active	Подробности
TL062ACD	onsemi	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	1732	RFQ	Tube	Obsolete	Подробности
MMBFJ175LT3G	onsemi	JFET P-CH 30V SOT23-3	4622	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
TF412ST5G	onsemi	JFET N-CH 30V 10MA SOT883	3579	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
BSR58	onsemi	JFET N-CH 40V SOT23-3	7195	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
2SK3557-6-TB-E	onsemi	RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP	6478	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
MMBFJ112	onsemi	JFET N-CH 35V SOT23-3	8453	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
SMMBFJ310LT3G	onsemi	RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23	4462	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
SMMBFJ175LT1G	onsemi	JFET P-CH 30V SOT23-3	3230	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
MMBFJ202	onsemi	JFET N-CH 40V SOT23-3	4682	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
MMBF4093	onsemi	JFET N-CH 40V SOT23-3	3866	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности

4 / 41 Страницы，Всего 484 Данные

JFETs

Транзисторы с эффектом поля (JFET) являются устройствами, используемыми в качестве электронных переключателей управления, усилителей или сопротивления сжатия. Разница потенциала, наложенная на соответствующий полюс между полем и источником, увеличивает сопротивление току, что означает, что меньше тока будет течь в канаве между полем источника и полем утечки. Поскольку заряд течет через полупроводниковые каналы между источниками и терминами утечки, JFETs не нуждаются в смещенном токе.